Preparation and property of GaN thin layers as materials for electronics

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F03%3A00008281" target="_blank" >RIV/60461373:22310/03:00008281 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice

Original language description

Na pracovišti VŠCHT Praha bylo vybudováno pracoviště pro přípravu epitaxních vrstev nitridů 13. skupiny technologií MOVPE. Zařízení umožňuje přípravu binárních nitridů a jejich ternárních a kvaternárních substitučních roztoků. Zdrojem prvků 13. skupiny jsou organokovové sloučeniny (trimethylgallium, trimethylaluminium), zdrojem dusíku je vysoce čistý amoniak. Safírové podložky jsou uistěny na molybdenovém substrátě, který je vyhříván indukčním ohřevem. Práce jsou směrovány především na přípavu epitaxních vrstev GaN a jejich charakterizaci.

Czech name

Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice

Czech description

—

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

CA - Inorganic chemistry

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemical aspects of thin layer deposition of the AIII-nitrides in relation to electronic applications</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2003

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Sborník Vrstvy a povlaky 2003

ISBN

80-968337-1-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

1

Pages from-to

155

Publisher name

Vrstvy a povlaky 2003

Place of publication

Trenčín

Event location

Trenčín

Event date

May 22, 2003

Type of event by nationality

EUR - Evropská akce

UT code for WoS article

—