Přednáška: Photoluminescence study of (Er3+ + Yb3+) doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering,

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00015201" target="_blank" >RIV/60461373:22310/05:00015201 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Přednáška: Photoluminescence study of (Er3+ + Yb3+) doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering,

Original language description

Photoluminescence study of (Er3+ + Yb3+) doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering,

Czech name

Photoluminiscence v (Er3+ + Yb3+) dotovaných galiumnitridových vrstvách připravených magnetronovým naprašováním

Czech description

Photoluminescence study of (Er3+ + Yb3+) doped gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering,

Type

O - Miscellaneous

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA104%2F03%2F0385" target="_blank" >GA104/03/0385: New technology of optical thin layers based on carbon and organic materials for active structure of integrated optics</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů