Selective dissolution of Agx(As0.33S0.67-ySey)100-x chalcogenide thin films

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F08%3A00306848" target="_blank" >RIV/61389013:_____/08:00306848 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/00216224:14310/08:00028407 RIV/00177016:_____/08:#0000390
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Selective dissolution of Agx(As0.33S0.67-ySey)100-x chalcogenide thin films
Original language description
Thin films of As33S67, As33S33,5 and As33Se67 prepared by vacuum thermal evaporation were selectively etched in alkaline organic solutions of amines. The dissolution mechanism and relation between photo-structural change and dissolution behavior are proposed. Potential application is shown in fabrication of "microlenses like" motive into films.
Czech name
Selektivní rozpouštění tenkých vrstev Agx(As0.33S0.67-ySey)100-x
Czech description
Tenké vrstvy As33S67, As33S33,5 a As33Se67 připravené vakuovým napařováním byly selektivně leptány v alkalických organických roztocích aminů. Byl navržen mechanismus rozpouštění a vztah mezi fotostrukturními změnami a chováním při rozpouštění. Na vrstvách byly vytvořeny motivy mikročoček jako potenciální aplikace selektivního leptání.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
CA - Inorganic chemistry
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)