A method of forming thin deposition layers using low pressure plasma using and a device for performing this method
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989592%3A15310%2F17%3A73584775" target="_blank" >RIV/61989592:15310/17:73584775 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/306/306854.pdf" target="_blank" >http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/306/306854.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu
Original language description
Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu se provádí v zařízení, které je tvořeno vakuovou komorou (1), v jejímž vnitřním prostoru (101) jsou jednak protilehle umístěny zdroj (4) klastrů a držák (5) substrátu (6) propojený s bipolárním zdrojem (7) a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (10) pracovního plynu. Nanočástice vytvořené ve zdroji (4) klastrů jsou ve vnitřním prostoru (101) vakuové komory (1) směrovány do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje (9), kde jsou ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu (6), kam je v závislosti na polaritě klastrů přiváděno buď kladné, nebo záporné napětí a kde je vytvářena nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje (12). Přitom je měřena poměrná frakce ionizovaných klastrů pomocí modifikovaného QCM (14). Podstatou vynálezu je rovněž konstrukce zařízení k provádění tohoto způsobu.
Czech name
Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu
Czech description
Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu se provádí v zařízení, které je tvořeno vakuovou komorou (1), v jejímž vnitřním prostoru (101) jsou jednak protilehle umístěny zdroj (4) klastrů a držák (5) substrátu (6) propojený s bipolárním zdrojem (7) a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (10) pracovního plynu. Nanočástice vytvořené ve zdroji (4) klastrů jsou ve vnitřním prostoru (101) vakuové komory (1) směrovány do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje (9), kde jsou ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu (6), kam je v závislosti na polaritě klastrů přiváděno buď kladné, nebo záporné napětí a kde je vytvářena nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje (12). Přitom je měřena poměrná frakce ionizovaných klastrů pomocí modifikovaného QCM (14). Podstatou vynálezu je rovněž konstrukce zařízení k provádění tohoto způsobu.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
—
OECD FORD branch
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TA04011156" target="_blank" >TA04011156: Functional thin film optical structures.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2017
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
306854
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Jun 28, 2017
Owner name
Univerzita Palackého v Olomouci
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence