Simulation of fast laser-induced melting and solidification in Si and GaAs

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985840%3A_____%2F06%3A00085623" target="_blank" >RIV/67985840:_____/06:00085623 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Simulation of fast laser-induced melting and solidification in Si and GaAs
Original language description
Crystal-liquid phase transitions induced in monocrystalline Si and GaAs surface layers by nanosecond ruby laser irradiation have been studied. The values of undercooling at crystallization stage were calculated on the basis of a nonequilibrium model of the phase transitions. The calculated values of undercooling are compared with experimental results obtained by a pyrometric method under irradiation of samples with (111) and (100) surface crystallography orientations.
Czech name
Simulace rychlého tavení a solidifikace Si a GaAs ozařovaných laserem
Czech description
Studují se fázové přechody mezi krystalem a taveninou v monokrystalických povrchových vrstvách Si a GaAs vyvolané ozařováním nanosekundovým rubínovým laserem. Hodnoty podchlazení při krystalizaci se počítají pomocí nerovnovážných modelů fázových přechodů. Vypočítané hodnoty podchlazení se porovnávají s experimentálními výsledky získanými pyrometrií při ozařování vzorků s krystalografickou orientací povrchu (111) a (100).

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)