IR Laser-Induced Co-Decomposition of Trisilane and Thiirane for Deposition of

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F08%3A00305048" target="_blank" >RIV/67985858:_____/08:00305048 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/61388980:_____/08:00305048
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
IR Laser-Induced Co-Decomposition of Trisilane and Thiirane for Deposition of
Original language description
TEA CO2 laser irradiation of gaseous trisilane-thiirane mixtures results in the co-decomposition of both components and allows chemical vapor deposition of polycarbosilthiane films that undergo reaction with air moisture, evolve H2S and develop to nano-sized polycarbosiloxanes.
Czech name
IČ laserově indukovaný ko-rozklad trisilanu a thiiranu pro deposici polykarbosilthianových filmů
Czech description
TEA CO2 laserové ozařování plynných směsí trisilanu a thiiranu vede k rozkladu obou sloučenin a k chemické deposici polykarbosilthianových filmů z plynné fáze. Tyto filmy reagují se vzduchem za vývinu H2S a přeměňují se na nanorozměrné polykarbosiloxany.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
CF - Physical chemistry and theoretical chemistry
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/ME%20846" target="_blank" >ME 846: Laser induced chemical vapour deposition of nanosized metal sulfides</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>R - Projekt Ramcoveho programu EK

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description