A critical assessment of dislocation multiplication laws in germanium
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F06%3A00047211" target="_blank" >RIV/68081723:_____/06:00047211 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
A critical assessment of dislocation multiplication laws in germanium
Original language description
The issue concerning possible dislocation multiplication laws before the upper yield point of covalent materials is approached in <123> oriented Ge single crystals using the technique of stress relaxation and transient creep tests. Unlike in metals, relaxation tests exhibit a linear decrease of stress with time and inverse creep is observed. It is shown that these features are the signature of multiplication processes during the transient tests. Attempts at interpreting such particular behaviours are presented using three dislocation multiplication laws proposed in the literature for metals, for covalent crystals in general (based on etch-pit experiments) and for Si (based on computer simulations). The numerical reconstruction of the transient test curves shows that the last law is less satisfactory. This is explained by different stress exponents of the dislocation velocity, close to 1 in Si and to 2 in Ge.
Czech name
Kritické ohodnocení zákonů pro multiplikaci dislokací v germaniu
Czech description
Problematika možných zákonů pro multiplikaci dislokací v oblasti před horní mezí kluzu u kovalentních materiálů je studována u monokrystalů Ge s orientací <123> s využitím techniky relaxace napětí a tranzitních creepových testů. Na rozdíl od kovů docházípři zkouškách relaxace napětí k lineárnímu poklesu napětí s časem a je pozorován inverzní creep. Je ukázáno, že tyto vlastnosti jsou způsobeny multiplikačními procesy během tranzitních testů. Předkládáme pokus o interpretaci tohoto nezvyklého chování svyužitím 3 zákonů, navržených v literatuře pro multiplikaci dislokací pro kovy, pro kovalentní materiály obecně (odvozený z experimentů s využitím leptových důlků) a pro Si (odvozený z počítačové simulace). Numerická rekonstrukce měřených tranzitních křivek ukazuje, že poslední zákon je nejméně uspokojivý. To je vysvětleno různým exponentem napětí v rovnici pro rychlost dislokací, který je blízky 1 pro Si a 2 pro Ge.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Acta Materialia
ISSN
1359-6454
e-ISSN
—
Volume of the periodical
54
Issue of the periodical within the volume
18
Country of publishing house
GB - UNITED KINGDOM
Number of pages
9
Pages from-to
4721-4729
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—