All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

A critical assessment of dislocation multiplication laws in germanium

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081723%3A_____%2F06%3A00047211" target="_blank" >RIV/68081723:_____/06:00047211 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    A critical assessment of dislocation multiplication laws in germanium

  • Original language description

    The issue concerning possible dislocation multiplication laws before the upper yield point of covalent materials is approached in <123> oriented Ge single crystals using the technique of stress relaxation and transient creep tests. Unlike in metals, relaxation tests exhibit a linear decrease of stress with time and inverse creep is observed. It is shown that these features are the signature of multiplication processes during the transient tests. Attempts at interpreting such particular behaviours are presented using three dislocation multiplication laws proposed in the literature for metals, for covalent crystals in general (based on etch-pit experiments) and for Si (based on computer simulations). The numerical reconstruction of the transient test curves shows that the last law is less satisfactory. This is explained by different stress exponents of the dislocation velocity, close to 1 in Si and to 2 in Ge.

  • Czech name

    Kritické ohodnocení zákonů pro multiplikaci dislokací v germaniu

  • Czech description

    Problematika možných zákonů pro multiplikaci dislokací v oblasti před horní mezí kluzu u kovalentních materiálů je studována u monokrystalů Ge s orientací <123> s využitím techniky relaxace napětí a tranzitních creepových testů. Na rozdíl od kovů docházípři zkouškách relaxace napětí k lineárnímu poklesu napětí s časem a je pozorován inverzní creep. Je ukázáno, že tyto vlastnosti jsou způsobeny multiplikačními procesy během tranzitních testů. Předkládáme pokus o interpretaci tohoto nezvyklého chování svyužitím 3 zákonů, navržených v literatuře pro multiplikaci dislokací pro kovy, pro kovalentní materiály obecně (odvozený z experimentů s využitím leptových důlků) a pro Si (odvozený z počítačové simulace). Numerická rekonstrukce měřených tranzitních křivek ukazuje, že poslední zákon je nejméně uspokojivý. To je vysvětleno různým exponentem napětí v rovnici pro rychlost dislokací, který je blízky 1 pro Si a 2 pro Ge.

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2006

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Acta Materialia

  • ISSN

    1359-6454

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    54

  • Issue of the periodical within the volume

    18

  • Country of publishing house

    GB - UNITED KINGDOM

  • Number of pages

    9

  • Pages from-to

    4721-4729

  • UT code for WoS article

  • EID of the result in the Scopus database