Laser beam induced currents in polycrystalline silicon thin films prepared by interference laser crystallization
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A00100522" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:00100522 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Laser beam induced currents in polycrystalline silicon thin films prepared by interference laser crystallization
Original language description
Grain boundaries are clearly identified by 180o shifts of the photocurrent phase close to maxima of photocurrent amplitude
Czech name
Laserovým svazkem indukované proudy v polykrystalických tenkých vrstvách křemíku připravených interferenční laserovou krystalizací
Czech description
Hranice zrn jsou zřetelně identifikovány fázovým posunem o 180o ve fotoproudu poblíž jeho maximální amplitudy
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2002
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Volume of the periodical
91
Issue of the periodical within the volume
7
Country of publishing house
US - UNITED STATES
Number of pages
9
Pages from-to
4220-4228
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—