Growth of Bi4Ge3O12 single crystal by the micro-pulling-down method from bismuth rich composition

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F02%3A00133968" target="_blank" >RIV/68378271:_____/02:00133968 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Growth of Bi4Ge3O12 single crystal by the micro-pulling-down method from bismuth rich composition
Original language description
In this study, BGO single crystal fibrs were successfully grown by micro-pulling-down method with resistance heating system. Considering the volatilization of bismuth, we grew fibers from two different Bi2O3 enriched composition. For the composition of Bi2O3 2.1 molar ratio, the best single crystal fibers were obtained for pulling-down rate equal to 0.08 mm/min.
Czech name
Příprava monokrystalu Bi4Ge3O12 metodou ?micro-pulling down? z taveniny s přebytkem bismutu
Czech description
BGO je známý scintilační material. V této práci byl monokrystal BGO úspěšně připraven metodou ?micro-pulling down? s odporovým systémem ohřevu. Vzhledem k volatilitě bismutu byl kystal pěstován s taveniny s přebytkem Bi2O3 (2.05 mol% Bi2O3?3mol% GeO2 and2.1 mol% Bi2O3?3mol% GeO2). Vypěstované krystaly byly transparentní a téměř bezbarvé. BYl stanoven rozdělovací koeficient Bi a Ge

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Publication year
2002
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)