Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00101821" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00101821 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures

Original language description

Lateral conductivity effects have been jnvestigated in self-organised InAs quantum dot structures grown in a GaAs matrix with different cap layers by current-voltage, capacitance-voltage, DLTS, capacitance and conductance frequency dependence, fast defect transient and electron beam induced conductivity measurements. The capacitance transients are dominated by the local QD-plane transversal conductivity and by the free carrier transport in the cap layer

Czech name

Laterální vodivost ve strukturách GaAs/InAs s kvantovými tečkami

Czech description

Jevy laterální vodivosti v samoorganizovaných strukturách s kvantovými tečkami InAs připravenými v matrici GaAs s různými krycími vrstvami byly zkoumány pomocí měření závislostí proudu na napětí, kapacity na napětí, metody DLTS, závislostí kapacity a vodivosti na frekvenci a dále pomocí rychlých poruchových transientů a vodivosti indukované elektronovým svazkem. Kapacitní přechodové jevy jsou ovládány lokální příčnou vodivostí v rovině kvantových teček a transportem volných nosičů v krycí vrstvě

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA202%2F03%2F0410" target="_blank" >GA202/03/0410: energy dissipation in non-equilibrium low-dimensional structures</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

European Physical Journal-Applied Physics

ISSN

1286-0042

e-ISSN

—

Volume of the periodical

27

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

FR - FRANCE

Number of pages

3

Pages from-to

93-95

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—