Optical characterization of MOVPE grown .delta. -InAs layers in GaAs

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00104218" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00104218 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Optical characterization of MOVPE grown .delta. -InAs layers in GaAs

Original language description

Simultaneous application of three optical methods photoluminescence, photocurrent and photoreflectance spectroscopy for characterization of MOVPE grown InAs .delta.-layers forming single-quantum wells, double-quantum wells and multi-quantum in GaAs. Evaluation and interpretation of measured optical transitions is based on simulation of electronic states in .delta.-layers

Czech name

Optická charakterizace InAs delta-vrstev v GaAs připravených MOVPE technologií

Czech description

Současné použití tří optických metod - fotoluminiscence, fotoproudu a spektrální odrazivosti - pro charakterizaci jednoduchých, dvojitých a vícenásobných delta-vrstev InAs v GaAs. Naměřené optické přechody byly přiřazeny a interpretovány na základě simulace elektronových stavů v delta-vrstvách

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

EXMATEC 2004

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

2

Pages from-to

73-74

Publisher name

Centre National de la Recherche Scientifique

Place of publication

Montpellier

Event location

Montpellier

Event date

Jun 1, 2004

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—