Model of electronic transport in microcrystalline silicon and its use for prediction of device performance

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00107342" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00107342 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/49610040:_____/05:00000033
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Model of electronic transport in microcrystalline silicon and its use for prediction of device performance
Original language description
Changes in the growth of thin silicon films at very low substrate temperatures (35oC < Ts < 100oC) near the a-Si:H/?c-S:H transition region and role of hydrogen content
Czech name
Model elektronického transportu v mikrokrystalickém křemíku a jeho použití pro předpověď funkčnosti elektronických prvků
Czech description
Změny v růstu tenkých křemíkových vrstev při velmi nízkých teplotách (35°C < Ts < 100°C) na hranici mezi a-Si:H/?c-Si:H a role obsahu vodíku

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description