Model of electronic transport in microcrystalline silicon and its use for prediction of device performance

Result code in IS VaVaI

RIV/68378271:_____/04:00107342 - isvavai.cz

Alternative codes found

RIV/49610040:_____/05:00000033

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Model of electronic transport in microcrystalline silicon and its use for prediction of device performance

Original language description

Changes in the growth of thin silicon films at very low substrate temperatures (35oC < Ts < 100oC) near the a-Si:H/?c-S:H transition region and role of hydrogen content

Czech name

Model elektronického transportu v mikrokrystalickém křemíku a jeho použití pro předpověď funkčnosti elektronických prvků

Czech description

Změny v růstu tenkých křemíkových vrstev při velmi nízkých teplotách (35°C < Ts < 100°C) na hranici mezi a-Si:H/?c-Si:H a role obsahu vodíku

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Journal of Non-Crystalline Solids

ISSN

0022-3093

e-ISSN

—

Volume of the periodical

338-340

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS

Number of pages

7

Pages from-to

303-309

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—