Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041115" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00041115 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Ion-sensitive field effect transistor on hydrogenated diamond

Original language description

Ion-sensitive field effect transistors fabricated on intrinsic hydrogen-terminated diamond films exhibit pronounced pH sensitivity (-56 mV/pH). Conductivity of the transistor channel decreases with increasing pH, in agreement with transfer doping model.

Czech name

Iontově citlivé polní transistory na hydrogenovaném diamantu

Czech description

Polní transistory (ISFET) vytvořené na vodíkem zakončených intrinsických diamantových vrstvách vykazují značnou citlivost na pH (-56 mV/pH). Vodivost transistorového kanálu klesá s rostoucím pH, v souladu s modelem přenosového dopování.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Volume of the periodical

15

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

CH - SWITZERLAND

Number of pages

5

Pages from-to

673-677

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—