Influence of pressure and plasma potential on high growth rate microcrystalline silicon grown by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041425" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00041425 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Influence of pressure and plasma potential on high growth rate microcrystalline silicon grown by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition
Original language description
Microcrystalline silicon solar cells were deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition and influence of pressure and plasma potential was examined
Czech name
Vliv tlaku a poteciálu plasmatu na rychlost růstu mikrokrystalického křemíku, připraveného ve vysokofrekvenčním plasmatu
Czech description
Sluneční články z mikrokrystalického křemíku byly připraveny ve vysokofrekvenčním plasmatu a byl studován vliv tlaku a potenciálu plasmatu
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Japanese Journal of Applied Physics
ISSN
0021-4922
e-ISSN
—
Volume of the periodical
45
Issue of the periodical within the volume
8A
Country of publishing house
JP - JAPAN
Number of pages
7
Pages from-to
6166-6172
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—