Electron surface states in short-period superlattices: (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4)

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00047689" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00047689 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Electron surface states in short-period superlattices: (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4)
Original language description
The electronic structure of (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4) superlattice surfaces was studied by means of angular-resolved photoelectron spectroscopy ( ARUPS) in the photon energy range 20-38 eV. An intensive surface state was, for the first time, observed below the top of the valence band
Czech name
Povrchové stavy elektronů v supermřížkách s krátkou periodou (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4)
Czech description
Elektronová struktura povrchů supermřížek (GaAs)2/(AlAs)2(100)-c(4x4) byla studována v elektrickém intervalu synchronového záření 20 -38 eV pomocí úhlově rozlišené fotoelektronové spektroskopie. Výrazný povrchový stav byl pozorován pod vrcholem valenčního pásu.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/IAA1010108" target="_blank" >IAA1010108: Electron spectroscopy of epitaxial GaAs-based nanosystem surfaces</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)