Ion implantation induced by Cu ablation at high laser fluence

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00054525" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00054525 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Ion implantation induced by Cu ablation at high laser fluence
Original language description
High energy laser plasma-produced Cu ions have been omplanted in silicon substrates placed at different distances and angles with respect to the normal to the surface of the ablated target
Czech name
Implantace iontů indukovaná ablací Cu při velkých tocích laserové energie
Czech description
Cu ionty z plazmatu, produkovaného laserem o velké energii, byly implantovány do silikonové podložky, umístěné v různých vzdálenostech a pod různými úhly vzhledem k normále povrchu ablaovaného terčíku. Při studiu implantačních procesů byla využita Ruthefordova spepektrometrie zpětného rozptylu (RBS), Augerova elektronová spektroskopie (AES).a elektronový skanovací mikroskop (SEM). Výsledky povrchové analysy indikují, že oblasti pronikání iontů jsou v souladu s energií iontů, měřenou elektrostatickým analyzátorem (IEA)

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/LC528" target="_blank" >LC528: Centre of Laser Plasma</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description