Mechanism for room-temperature single-atom lateral manipulations on semiconductors using dynamic force microscopy

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00085137" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00085137 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Mechanism for room-temperature single-atom lateral manipulations on semiconductors using dynamic force microscopy
Original language description
Vacancy-mediated lateral manipulations of intrinsic adatoms of the Si(111)-(7x7) surface at room temperature are reported
Czech name
Mechanismus laterální manipulace jednotlivých atomů polovodičů při pokojových teplotách pomocí dynamického mikroskopu sil
Czech description
Je popsána laterální manipulace adatomů na povrchu Si(111)-(7x7) pomocí vakancí při pokojových teplotách

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description