Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00308014" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00308014 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/67985882:_____/08:00308014 RIV/67985556:_____/08:00308014
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure
Original language description
Self assembled InAs quantum dots embedded in GaAs/GaAlAs heterostructure were visualized by ballistic electron emission microscopy. The spectroscopic characteristics on individual quantum dots with length from about 10 nm to 20 nm were examined. The Coulomb interaction and exchange energies between two electrons in quantum dots were determined and compared with the previously published theoretical results.
Czech name
Balistická elektronová emisní spektroskopie/mikroskopie samouspořádaných InAs kvantových teček různých velikostí v GaAs/AlGaAs heterostruktuře
Czech description
Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie byly vizualizovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/AlGaAs heterostruktuře. Na jednotlivých kvantových tečkách s délkou od 10 nm do 20 nm byly analyzovány jejich spektroskopické charakteristiky. Zvýsledků měření byla určena Coulombická a výměnná energie mezi dvěma elektrony a porovnána s dříve publikovanými teoretickými výsledky.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA202%2F05%2F0242" target="_blank" >GA202/05/0242: Space resolved ballistic electron emission spectroscopy on individual InAs/GaAs dots embedded in AlGaAs barriers</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Volume of the periodical
92
Issue of the periodical within the volume
12
Country of publishing house
US - UNITED STATES
Number of pages
3
Pages from-to
"012101.1"-"012101.3"
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—