Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00320708" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00320708 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance
Original language description
New types of metallization based on low work function metals were used to prepare ohmic contacts for SI-GaAs radiation detectors. Such metals form blocking barriers for holes. I-V characteristics of the detectors exhibit, comparing with the standard AuGeNi metallization, a reduction of the forward current and other unusual features deserving a more detailed investigation.
Czech name
Studium objemových detektorů záření založených na semiizolačním GaAs: role metalizace ohmického kontaktu v transportu elektrického náboje a v detekční účinnosti
Czech description
Pro ohmické kontakty k SI-GaAs detektoru byly použity nové typy metalizace založené na kovech s nízkou výstupní prací (In, Gd, Mg), které vytvářejí blokující bariery pro díry. Voltampérové charakteristiky těchto detektorů vykazují, ve srovnání se standardní metalizací AuGeNi, redukci propustného proudu a další neobvyklé rysy, které si zasluhují podrobnějšího studia.

Project
<a href="/en/project/IAA1010404" target="_blank" >IAA1010404: Influence of external fields on low-dimensional electron structures</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)