FW03010298-V24: GaN buffer layers on YAP, GaGG

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00585048" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00585048 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

FW03010298-V24: GaN podkladové vrstvy na YAP, GaGG

Original language description

Povrch funkčního vzorku připraveného na GaGG podložce je strukturovaný s mnoha semipolárními rovinami. Z porovnání fotoluminiscenčních spekter vzorku na GaGG a bufferové vrstvy na safíru je patrné, že se nám podařilo zvýšit poměr intenzity excitonového maxima ku intenzitě defektních pásů (modrý i žlutý defektní pás), podle zadání projektu. Zároveň se významně zvýšila celková intenzita luminiscence v porovnání s klasickou u GaN podkladovou vrstvou na safírovém substrátu.

Czech name

FW03010298-V24: GaN podkladové vrstvy na YAP, GaGG

Czech description

Povrch funkčního vzorku připraveného na GaGG podložce je strukturovaný s mnoha semipolárními rovinami. Z porovnání fotoluminiscenčních spekter vzorku na GaGG a bufferové vrstvy na safíru je patrné, že se nám podařilo zvýšit poměr intenzity excitonového maxima ku intenzitě defektních pásů (modrý i žlutý defektní pás), podle zadání projektu. Zároveň se významně zvýšila celková intenzita luminiscence v porovnání s klasickou u GaN podkladovou vrstvou na safírovém substrátu.

Type

G_funk - Functional sample

CEP classification

—

OECD FORD branch

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Project

<a href="/en/project/FW03010298" target="_blank" >FW03010298: Breakthrough Optoelectronic Materials for Instrumentation</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2023

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID

FW03010298-V24

Numerical identification

FW03010298-V24

Technical parameters

Strukturovaná GaN vrstva připravená epitaxně na substrátu GaGG

Economical parameters

Výsledek je využíván příjemcem CRYTUR, s.r.o. (25296558), a spolupříjemci Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. (68378271), ekonomické parametry se neuvádí.

Application category by cost

—

Owner IČO

68378271

Owner name

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Crytur, s.r.o.

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Licence fee requirement

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Web page

—