Local Lifetime Control in Silicon Power Diode by Ion Irradiation: Introduction and Stability of Shallow Donors
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F07%3A03134220" target="_blank" >RIV/68407700:21230/07:03134220 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Local Lifetime Control in Silicon Power Diode by Ion Irradiation: Introduction and Stability of Shallow Donors
Original language description
Local lifetime control in silicon power diode by ion irradiation, the effect of introduction and od shallow donors and their thermal stability
Czech name
Lokální řízení doby života v křemíkových výkonových diodách iontovým ozářením: zanášení a stabilita křemíkových donorů
Czech description
Lokální řízení doby života v křemíkových výkonových diodách iontovým ozářením: zanášení a stabilita křemíkových donorů
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Preparation, modification and characterization of materials by energetic radiation.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
IET Circuits, Devices & Systems
ISSN
1751-858X
e-ISSN
—
Volume of the periodical
1
Issue of the periodical within the volume
5
Country of publishing house
GB - UNITED KINGDOM
Number of pages
6
Pages from-to
321-326
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—