InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterised by photomodulated reflectance

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03138300" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03138300 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterised by photomodulated reflectance
Original language description
Paper deals with InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterised by photomodulated reflectance.
Czech name
Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami překryté pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflexní spektroskopií
Czech description
Článek se zabývá studiem vlivu pnutí redukující vrstvy na strukturu kvantových přechodů v InAs kvantových tečkách v GaAs. Pro charakterizaci je použita fotoluminiscence a fotomodulovaná reflexní spektroskopie.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/GA202%2F06%2F0718" target="_blank" >GA202/06/0718: Quantum dot engineering</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description