Radiation Defects and Thermal Donors Introduced in Silicon by Hydrogen and Helium Implantation and Subsequent Annealing

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03142009" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03142009 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Radiation Defects and Thermal Donors Introduced in Silicon by Hydrogen and Helium Implantation and Subsequent Annealing
Original language description
Study of radiation defects and thermal donors introduced in silicon by hydrogen and helium implantation and subsequent annealing.
Czech name
Radiační poruchy a termodonory vzniklé v křemíku po ozáření vodíkem a heliem a následném žíhání
Czech description
Studium radiační poruch a termodonorů vzniklých v křemíku po ozáření vodíkem a heliem a následném žíhání.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Preparation, modification and characterization of materials by energetic radiation.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description