Proton implantation in silicon: evolution of deep and shallow defect states

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03144155" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03144155 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Proton implantation in silicon: evolution of deep and shallow defect states
Original language description
The paper deals with formation of shallow and deep defects states appeared in FZ and CZ silicon after implantation with MeV protons and subsequent annealing.
Czech name
Implantace protonů do křemíku: vývoj hlubokých a mělkých poruch
Czech description
Článek se zabývá tvorbou mělkých a hlubokých poruch, které vznikly ve FZ a CZ křemíku po implantaci MeV protony a následném žíháni.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Result description