Low-profile antenna

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147006" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147006 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Nízkoprofilová anténa

Original language description

Nízkoprofilovou anténu tvoří první substrát (1) s motivem vlastní smyčky umístěný na druhý substrát (6), na jehož vrchní straně je vytvořen motiv čtveřice subvlnových plošek (7.1, 7.2, 7.3 a 7.4) oddělených vzájemně tenkými štěrbinami (8.1 a 8.2) a jehožspodní strana je opatřena souvislou vodivou vrstvou tvořící stínící rovinu (9). Tloušťka druhého substrátu (6) je 0,007 0,015 ?g a jeho relativní permitivita ?r>6. Vlastní smyčka je tvořena třemi tenkými rovnoběžnými pásky (2.1, 2.2, 2.3) délky 0,45 0,6?g, které jsou vzájemně vzdáleny 0,01 0,04 ?g, kde ?g je vlnová délka na daném substrátu. Jejich konce jsou spojeny dvěma propojovacími bočními pásky (3.1, 3.2) tloušťky ve stejném rozmezí jako je tloušťka pásků (2.1, 2.2) Počet pásků tvořících smyčku lze měnit a ovlivňovat tak vstupní impedanci antény. Pásek (2.2), nejblíže středu prvního substrátu (1) je přerušen první mezerou (4), která slouží pro umístění napájecího čipu.

Czech name

Nízkoprofilová anténa

Czech description

Nízkoprofilovou anténu tvoří první substrát (1) s motivem vlastní smyčky umístěný na druhý substrát (6), na jehož vrchní straně je vytvořen motiv čtveřice subvlnových plošek (7.1, 7.2, 7.3 a 7.4) oddělených vzájemně tenkými štěrbinami (8.1 a 8.2) a jehožspodní strana je opatřena souvislou vodivou vrstvou tvořící stínící rovinu (9). Tloušťka druhého substrátu (6) je 0,007 0,015 ?g a jeho relativní permitivita ?r>6. Vlastní smyčka je tvořena třemi tenkými rovnoběžnými pásky (2.1, 2.2, 2.3) délky 0,45 0,6?g, které jsou vzájemně vzdáleny 0,01 0,04 ?g, kde ?g je vlnová délka na daném substrátu. Jejich konce jsou spojeny dvěma propojovacími bočními pásky (3.1, 3.2) tloušťky ve stejném rozmezí jako je tloušťka pásků (2.1, 2.2) Počet pásků tvořících smyčku lze měnit a ovlivňovat tak vstupní impedanci antény. Pásek (2.2), nejblíže středu prvního substrátu (1) je přerušen první mezerou (4), která slouží pro umístění napájecího čipu.

Type

F_uzit - Utility model

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F08%2F1282" target="_blank" >GA102/08/1282: Artificial electromagnetic structures for miniaturisation of high-frequency and microwave radiation and circuit elements</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Patent/design ID

18825

Publisher

—

Publisher name

—

Place of publication

—

Publication country

—

Date of acceptance

—

Owner name

ČVUT FEL

Method of use

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Usage type

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence