Fabrication of SOI Strain-gauges for High-Temperature Applications

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00159930" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00159930 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Výroba SOI tenzometrů pro vysokoteplotní aplikace

Original language description

V současné době se kladou stále větší nároky na elektroniku pro přístrojové a řídící systémy, kdy jedním z požadavků je také provozuschopnost při vyšších teplotách. Elektronické prvky schopné pracovat při teplotách vyšších než 200 °C jsou potřeba zejménav průmyslových aplikacích, např. v řízení a diagnostice turbínových generátorů v elektrárnách. Technologie SOI (Silicon-on-Insulator) je vhodná pro realizaci elektronických prvků a senzorů nejen pro vysokoteplotní, ale i RF (Radio Frequency) aplikace. Tento článek představuje proces výroby a charakterizace piezorezistivních senzorů deformace (tenzometrů) v SOI technologii pro průmyslové aplikace.

Czech name

Výroba SOI tenzometrů pro vysokoteplotní aplikace

Czech description

V současné době se kladou stále větší nároky na elektroniku pro přístrojové a řídící systémy, kdy jedním z požadavků je také provozuschopnost při vyšších teplotách. Elektronické prvky schopné pracovat při teplotách vyšších než 200 °C jsou potřeba zejménav průmyslových aplikacích, např. v řízení a diagnostice turbínových generátorů v elektrárnách. Technologie SOI (Silicon-on-Insulator) je vhodná pro realizaci elektronických prvků a senzorů nejen pro vysokoteplotní, ale i RF (Radio Frequency) aplikace. Tento článek představuje proces výroby a charakterizace piezorezistivních senzorů deformace (tenzometrů) v SOI technologii pro průmyslové aplikace.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JB - Sensors, detecting elements, measurement and regulation

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Intelligent micro and nano structures for microsensors realized with support of nanotechnology</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2009

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Slaboproudý obzor

ISSN

0037-668X

e-ISSN

—

Volume of the periodical

65

Issue of the periodical within the volume

3

Country of publishing house

CZ - CZECH REPUBLIC

Number of pages

3

Pages from-to

—

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—