Tunable LC Oscillator with Constant Amplitude

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00171893" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00171893 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Přeladitelný LC osciilátor s konstantní amplitudou

Original language description

Vynález se týká LC oscilátoru přeladitelného ve velkém kmitočtovém rozsahu. Zapojení sestává z prvního bloku (1) řízeného zesilovače se společným gatem, druhého bloku (2) řízeného zesilovače se společným drainem a bloku (3) zdroje regulačního napětí. Zapojení oscilátoru je složené ze dvou kaskádně zapojených zesilovacích bloků (1, 2) osazených unipolárními tranzistory MOS FET. První blok (1) s tranzistorem (T1) je v zapojení se společným gatem. V drainu prvního tranzistoru (T1) je zapojen paralelní rezonanční obvod (L1, C1), z něhož je vf signál přiváděn kondenzátorem (C2) na gate druhého tranzistoru (T2) a zároveň na diodu (D1), která usměrňuje vf signál a vytváří předpětí pro gate obou tranzistorů (T1, T2). Druhý tranzistor (T2) svým sourcem budí source prvního tranzistoru (T1). V obvodu source obou tranzistorů (T1,T2) je zapojen resistor (R1).

Czech name

Přeladitelný LC osciilátor s konstantní amplitudou

Czech description

Vynález se týká LC oscilátoru přeladitelného ve velkém kmitočtovém rozsahu. Zapojení sestává z prvního bloku (1) řízeného zesilovače se společným gatem, druhého bloku (2) řízeného zesilovače se společným drainem a bloku (3) zdroje regulačního napětí. Zapojení oscilátoru je složené ze dvou kaskádně zapojených zesilovacích bloků (1, 2) osazených unipolárními tranzistory MOS FET. První blok (1) s tranzistorem (T1) je v zapojení se společným gatem. V drainu prvního tranzistoru (T1) je zapojen paralelní rezonanční obvod (L1, C1), z něhož je vf signál přiváděn kondenzátorem (C2) na gate druhého tranzistoru (T2) a zároveň na diodu (D1), která usměrňuje vf signál a vytváří předpětí pro gate obou tranzistorů (T1, T2). Druhý tranzistor (T2) svým sourcem budí source prvního tranzistoru (T1). V obvodu source obou tranzistorů (T1,T2) je zapojen resistor (R1).

Type

P - Patent

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Intelligent micro and nano structures for microsensors realized with support of nanotechnology</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2010

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Patent/design ID

302141

Publisher

—

Publisher name

—

Place of publication

—

Publication country

—

Date of acceptance

Mar 15, 2010

Owner name

ČVUT FEL, Praha 6

Method of use

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Usage type

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)