Luminescence Study of Charge Carrier Traps in Sn2P2S6 Crystals
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F06%3A04126888" target="_blank" >RIV/68407700:21340/06:04126888 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Luminescence Study of Charge Carrier Traps in Sn2P2S6 Crystals
Original language description
The dependence of photoluminescence intensity on exposure time was studied on four nominally pure Sn2P2S6 crystals as a function of temperature (12 – 300 K) and excitation wavelength (300 – 800 nm). The photoluminescence intensity of the Sn2P2S6 crystals cooled in the dark decreased with time of steady-state excitation with monochromatic light with the wavelength shorter than 510 nm at 12 K. Contrariwise, steady-state excitation with wavelength between 510 and 710 nm increased photoluminescence intensity. Heating of the crystal to suitable higher temperature partially or fully restored the initial photoluminescence intensity at a given temperature.
Czech name
Luminiscenční studium pastí nosičů náboje v krystalech Sn2P2S6
Czech description
Na čtyřech nominálně čistých krystalech Sn2P2S6 byla studována jako funkce teploty (12 – 300 K) a excitační vlnové délky (300 – 800 nm) závislost intenzity fotoluminiscence na době expozice. Intenzita fotoluminiscence krystalů Sn2P2S6 ochlazených v temnu klesala s dobou ustáleného buzení monochromatickým světlem s vlnovou délkou kratší než 510 nm při 12 K. Naopak ustálené buzení světlem s vlnovou délkou mezi 510 a 710 nm zvyšovalo intenzitu fotoluminiscence. Zahřátí krystalu na vhodnou vyššíteplotu částečně nebo úplně obnovilo původní intenzitu fotoluminiscence při dané teplotě.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Book of abstracts of the 10th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials
ISBN
88-548-0668-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
1
Pages from-to
198-198
Publisher name
ARACNE editrice S.r.I.
Place of publication
Roma
Event location
University of Milano-Bicocca
Event date
Jul 10, 2006
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—