The effect of plasma modification on the surface tension of CMC and SiO2 films

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28110%2F04%3A63502728" target="_blank" >RIV/70883521:28110/04:63502728 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
The effect of plasma modification on the surface tension of CMC and SiO2 films
Original language description
The objective of this study is surface tension determination of water-soluble cellulose derivative solid film (CMC) and SiO2 and their changes caused by various gas plasma treatments.
Czech name
Vliv plazmové modifikace na povrchové napětí CMC a SiO2 filmů.
Czech description
Cílem byl výzkum povrchového napětí vodorozpustných pevných filmů derivátů celulózy (CMC) a SiO2 a jeho změny způsobené různými plazmatickými úpravami.

Project
<a href="/en/project/FD-K3%2F089" target="_blank" >FD-K3/089: Chemistry from renewalbe resources - polysaccharides processing (cellulose derivates).</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Silicon 2004 - The Ninth Scientific and Business Conference
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
12
Pages from-to
299-310
Publisher name
TECON Scientific, s.r.o.
Place of publication
Rožnov pod Radhoštěm
Event location
Rožnov pod Radhoštěm
Event date
Nov 2, 2004
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Result description