Filters
Poruchové stavy při spolupráci inteligentních budicích obvodů se spínači IGBT
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Univerzální budič tranzistorů IGBT a MOSFET
Jedná se o integrované řešení driverů pro třífázový střídač s tranzistory IGBT nebo MOSFET.
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2016 •
- Gfunk •
- Link
Rok uplatnění
Gfunk - Funkční vzorek
Výsledek na webu
Three-level six-phase 800 V inverter
Electrical and electronic engineering
- 2024 •
- Gfunk
Rok uplatnění
Gfunk - Funkční vzorek
Modul driverů IGBT a MOSFET
Jedná se o jednokanálový budič IGBT a MOSFET tranzistorů. Plošný spoj je navržen tak, aby bylo možné jednoduše uživatelsky osazením konkrétních součástek přizpůsobit modul konkrétní aplikaci, např. různé typy tranzistorů (MOSFET, IGBT
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2016 •
- Gfunk •
- Link
Rok uplatnění
Gfunk - Funkční vzorek
Výsledek na webu
Čtyřkvadrantový měnič s IGBT tranzistory. Výstupní parametry 300V/50A.
Jedná se o laboratorní přípravek pro výuku výkonové elektroniky: čtyřkvadrantový můstek s IGBT tranzistory Semikron. Výstupní parametry 300V/50A....
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 •
- X
Rok uplatnění
X - Nezařazeno
Elektrické měření laboratorního prototypu 1200V vstupního stabilizátoru napětí pro pomocné pohony s rychlými IGBT spínači
Tato výzkumná zpráva se zabývá měřením parametrů vstupního stabilizátoru pro pomocné pohony napájeného z trolejového napětí v předpokládaném rozsahu 400 - 950V....
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2013 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
Budiče výkonových tranzistorů MOSFET a IGBT
Příspěvek je věnován konkrétní konstrukci budiče pro tranzistory MOSFET a IGBT. Bylo realizováno galvanické oddělení pomocí vysokofrekvenčních transformátorků. S popsanou konstrukcí bylo dosaženo velmi malého zpoždění řídicího signálu a velk...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Metoda sériového řazení IGBT tranzistorů využívající detekci přepětí
Příspěvek se zabývá popisem metody umožňující sériové spojení tranzistorů a demonstrací sérioparalelní IGBT buňky o výkonu 1 kW při sníženém napětí (120V zpožděnísériově řazených IGBT tranzistorů. Při sériovém spojování IGBT
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2015 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
Dvoukvadrantový pulzní měnič s high speed IGBT tranzistory H3 a SiC diodami 22kW
Napájení pomocných pohonů je zajištěno z trolejového vedení, kde se očekává pracovní napájecí napětí troleje v rozsahu 400 - 1000V. Pro potřeby provozu jednofázového střídače pomocných pohonů se vstupní napětí troleje stabilizuje na hodnotě 380 V neb...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2013 •
- Gfunk •
- Link
Rok uplatnění
Gfunk - Funkční vzorek
Výsledek na webu
BUDIČ VÝKONOVÉHO SPÍNACÍHO TRANZISTORU S VYSOKOU ODOLNOSTÍ VŮČI STRMOSTI du/dt
This contribution describes a concrete construction of a driver for power transistors MOSFET and IGBT. A galvanic separation by high frequency transformers is used. A very low delay of the transferred switching signal was achieved w...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
- 1 - 10 out of 395