Metody měření polovodičových součástek: rtg, optická spektroskopie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F20%3A00120005" target="_blank" >RIV/00216224:14740/20:00120005 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Metody měření polovodičových součástek: rtg, optická spektroskopie

Popis výsledku v původním jazyce

Výzkumná zpráva se zabývá metodami analýz polovodičových součástek. Popsány jsou metody rtg difrakce pro detekci elastického napětí, mapování gradientu dopingu v silně legovaném křemíku. Dále pak optickou spektroskopií k určování koncentrací příměsí v silně legovaném polovodiči.

Název v anglickém jazyce

Masurement methods of semiconductor devices: X-ray, optical spectroscopy

Popis výsledku anglicky

The report deals with methods of semiconductor material analysis. X-ray diffraction methods of elastic strain determination, doping inhomogeneities is highly doped silicon. The optical spectroscopy was used to determine impurity concentration in highly doped silicon wafers.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/TH03010006" target="_blank" >TH03010006: Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů