Novel methods of local lifetime control in semiconductors
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 2 (SGA02003GA-ST)
Main participants
České vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Nové metody lokálního řízení doby života v polovodičích
Annotation in Czech
Cílem grantu je studium mechanismů nového netradičního způsobu vytváření profilů rekombinačních center v křemíku, které mají z principu optimální parametry, ale u nichž nebylo dosud užívanými metodami možné dosáhnout potřebného tvaru koncentračníhoprofilu. Studovaný postup vytváření rekombinačních center je založen na principu interakce příměsí, v našem případě platiny, s radiačními poruchami vzniklými po ozáření alfa částicemi. Rekombinační centra vzniklá tradičním postupem difúze platiny majísice dobré generačně-rekombinační vlastnosti, ale nevytváří potřebný tvar profilu z hlediska všech elektrických parametrů součástky. Radiační poruchy naproti tomu umožňují dosažení vhodného a dobře ovladatelného profilu, ale jejich generačně-rekombinačnívlastnosti nejsou zdaleka optimální (velký svodový proud). Cílem postupu použitého při řešení tohoto grantu je současné získání výhod obou popsaných přístupů. To lze provést zajištěním vhodných podmínek pro interakci platiny a radiačních poruch, při
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - secondary branch
—
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Complete physical and technological know-how for platinum (Pt) diffusion controlled by radiation defects (vacancies) resulting from high-energy alpha-particle irradiation - the diffusion takes place from the surface platinum silicide (PtSi) and implanted
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2003
Realization period - end
Jan 1, 2005
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP06-GA0-GA-U/07:6
Data delivery date
Jan 15, 2009
Finance
Total approved costs
1,064 thou. CZK
Public financial support
1,064 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK