Noise sources in semiconductor materials and devices
Project goals
The objective of this project is experimental investigations of the nature of the 1/f noise, if the source is mobile carrier number fluctuations or a fluctuation in the mobility. Experiments will be performed in low frequency range, where the 1/f noise is dominant, for three classes of samples: 1. macroscopic devices with large active volume - CdTe crystalline detectors, 2. submicron structures as MOSFETs and HEMTs and 3. nanoscale devices - on InGaAs quantum dots. There are a low number of carriers inthe active volume of those nanoscale devices; therefore it is supposed that 1/f noise will be dominant. The influence of low dimensional electron gas on 1/f noise will be analysed. Thus new valuable experimental results of noise spectral density and its relation to the electron gas characteristics, like charge carriers mean free path, mobility, dependence on temperature, light illumination and electric field intensity will be obtained. The research will, in this way, contribute to deeper cognition of
Keywords
noisenoise sourcessemiconductor materialssemiconductor devices
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 8 (SGA02005GA-ST)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
102/05/2095
Alternative language
Project name in Czech
Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách
Annotation in Czech
Záměrem tohoto projektu je určit zdroje nízkofrekvenčního šumu ve sledovaných materiálech a součástkách a dále stanovit zda zdrojem sumu 1/f jsou fluktuace počtu nosičů náboje, nebo jejich pohyblivosti. Experimentální studium bude provedeno pro 1. makroskopické vzorky s velkým objemem aktivní oblasti - na krystalických CdTe detektorech, 2. submikronových vzorcích MOSFET a HEMT, 3. na nově vyvíjených InGaAs kvantových tečkách. Tyto nanosoučástky mají ve svém aktivním objemu nízký počet nosičů a proto lzepředpokládat, že v důsledku interakce nosičů s mřížkou bude generována významná složka 1/f šumu. Současně bude možné posoudit vliv elektronového plynu nízké dimenze na tento sum. Tak budou získány významné experimentální výsledky o zdrojích šumu a závislosti šumové spektrální hustoty na charakteristických veličinách elektronového plynu, jako je střední volná dráha nosičů, pohyblivost, závislost na teplotě, osvětlení a intenzitě elektrického pole. Tento výzkum tak přispěje k hlubšímu poznání
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - another secondary branch
—
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
The objective of this project was to determine the origin of low-frequency noise in MOS structures and sensors of electromagnetic and corpuscular radiation based on CdTe. Experiments were performed for: 1. macroscopic devices with large active volume - C
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2005
Realization period - end
Dec 31, 2007
Project status
U - Finished project
Latest support payment
May 2, 2007
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP08-GA0-GA-U/04:3
Data delivery date
Dec 16, 2008
Finance
Total approved costs
1,997 thou. CZK
Public financial support
1,997 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
1 997 CZK thou.
Public support
1 997 CZK thou.
100%
Provider
Czech Science Foundation
CEP
BM - Solid-state physics and magnetism
Solution period
01. 01. 2005 - 31. 12. 2007