All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Low-frequency noise in submicron MOSFET and HEMT structures

Public support

  • Provider

    Czech Science Foundation

  • Programme

    Standard projects

  • Call for proposals

    Standardní projekty 11 (SGA02008GA-ST)

  • Main participants

  • Contest type

    VS - Public tender

  • Contract ID

    102/08/0260

Alternative language

  • Project name in Czech

    Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách

  • Annotation in Czech

    Cílem projektu je na základě studia nízkofrekvenčního šumu přispět ke zvýšení poměru signál/šum submikronových MOSFET a HEMT struktur. Provedeme podrobnou analýzu parametrů 1/f a RTS šumu v závislosti na intenzitě elektrického pole v podélném a příčném směru. Ve spolupráci s výrobci vzorků Asahi Kasei (MOSFET) a CRL (HEMT) budeme vyhodnocovat závislost nízkofrekvenčního šumu na geometrii, technologii výroby a přípravy oxidové vrstvy s cílem určit zdroje šumu a jejich lokalizaci. Bude upraven model RTS šumu vycházející z Kolomogorovových rovnic, popisující dvourozměrný g-r proces tak, aby se objasnily doby setrvání RTS šumu v obou stavech. Vliv elektronového plynu nízké dimenze na 1/f šum bude zkoumán ve strukturách s vysokou pohyblivostí nosičů na báziternárních sloučenin InGaAs/InAlAs.

Scientific branches

  • R&D category

    ZV - Basic research

  • CEP classification - main branch

    JA - Electronics and optoelectronics

  • CEP - secondary branch

  • CEP - another secondary branch

  • OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)

    20201 - Electrical and electronic engineering

Completed project evaluation

  • Provider evaluation

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Project results evaluation

    Project was focused on low-frequency noise study of modern microelectronic devices based on silicon and compound semiconductors (GaN, InGaAs). The main objective was to improve theoretical model of noise generation due to the charge carrier capture and emission by traps mainly on the channel-oxide layer interface and use it to determine trap parameters such as their activation energy and position

Solution timeline

  • Realization period - beginning

    Jan 1, 2008

  • Realization period - end

    Dec 31, 2010

  • Project status

    U - Finished project

  • Latest support payment

    Apr 16, 2010

Data delivery to CEP

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Data delivery code

    CEP11-GA0-GA-U/03:3

  • Data delivery date

    Feb 9, 2015

Finance

  • Total approved costs

    1,050 thou. CZK

  • Public financial support

    1,050 thou. CZK

  • Other public sources

    0 thou. CZK

  • Non public and foreign sources

    0 thou. CZK