Low-frequency noise in submicron MOSFET and HEMT structures
Project goals
The objective of this project is to achieve higher signal/noise ratio in submicron MOSFET and HEMT structures on the basis of low-frequency noise parameters assessment. We will thoroughly analyze the dependence of 1/f and RTS noise on longitudinal and transversal electric field intensity. In co-operation with sample producers Asahi Kasei (MOSFET) and CRL (HEMT) we will evaluate the dependence of low-frequency noise on sample geometry, technology and oxide layer preparation in order to determine noise sources and their localization. RTS noise capture and emission time constants will be explained using enhanced model of two-dimensional g-r process, based on Kolmogorov equation. The influence of low dimensional electron gas on 1/f noise will be analyzedinInGaAs/InAlAs heterostructures and similar high mobility devices.
Keywords
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 11 (SGA02008GA-ST)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
102/08/0260
Alternative language
Project name in Czech
Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách
Annotation in Czech
Cílem projektu je na základě studia nízkofrekvenčního šumu přispět ke zvýšení poměru signál/šum submikronových MOSFET a HEMT struktur. Provedeme podrobnou analýzu parametrů 1/f a RTS šumu v závislosti na intenzitě elektrického pole v podélném a příčném směru. Ve spolupráci s výrobci vzorků Asahi Kasei (MOSFET) a CRL (HEMT) budeme vyhodnocovat závislost nízkofrekvenčního šumu na geometrii, technologii výroby a přípravy oxidové vrstvy s cílem určit zdroje šumu a jejich lokalizaci. Bude upraven model RTS šumu vycházející z Kolomogorovových rovnic, popisující dvourozměrný g-r proces tak, aby se objasnily doby setrvání RTS šumu v obou stavech. Vliv elektronového plynu nízké dimenze na 1/f šum bude zkoumán ve strukturách s vysokou pohyblivostí nosičů na báziternárních sloučenin InGaAs/InAlAs.
Scientific branches
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Project was focused on low-frequency noise study of modern microelectronic devices based on silicon and compound semiconductors (GaN, InGaAs). The main objective was to improve theoretical model of noise generation due to the charge carrier capture and emission by traps mainly on the channel-oxide layer interface and use it to determine trap parameters such as their activation energy and position
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2008
Realization period - end
Dec 31, 2010
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Apr 16, 2010
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP11-GA0-GA-U/03:3
Data delivery date
Feb 9, 2015
Finance
Total approved costs
1,050 thou. CZK
Public financial support
1,050 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
1 050 CZK thou.
Public support
1 050 CZK thou.
100%
Provider
Czech Science Foundation
CEP
JA - Electronics and optoelectronics
Solution period
01. 01. 2008 - 31. 12. 2010