The morfology of the interfaces in heteroepitaxial multilayers
Project goals
The morphology of the interfaces in epitaxial multilayers is decisive for their optical and electrical peformance. The interfaces in multilayers of the type III-V and SiGe/Si multilayers grown by MBE and MOVPE methods will be studied within the project.High-resolution x-ray diffractometry and x-ray reflectometry will be used both in the specular and in the non-specular regimes. The results will be compared with the observations of the interfaces by local techniques (tunneling microscopy, TEM) and by optical measurements. The experimental data will be analyzed using structural models of the interfaces based on the theory of stochastic processes. The dependence of the interface morphology on the crystallographic orientation, chemical composition and growth parameters will be studied as well. The quality of the interfaces will be correlated to the crystallographic quality of the layers determined by high-resolution diffractometry. The results will be used for the optimization of the parameters of the ep
Keywords
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
—
Main participants
Masarykova univerzita / Přírodovědecká fakulta
Contest type
—
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Morfologie rozhraní heteroepitaxních multivrstev
Annotation in Czech
Morfologie rozhraní monokrystalických multivrstev je důležitá pro jejich optické a elektrické vlastnosti. V projektu se budou studovat rozhraní multivrstev typu III-V a multivrstev SiGe/Si pěstovaných metodami MBE a MOVPE. Bude použita vysokorozlišujícírtg difrakce ve spekulárním i difuzním módu, jakož i lokální tunelovací techniky, TEM a optická měření. Strukturní modely rozhraní založené na teorii náhodných procesů budou použity k interpretaci naměřených výsledků. Bude sledována závislost morfologierozhraní na krystalografické orientaci, chemickém složení a parametrech růstu multivrstev. Bude též studována korelace kvality rozhraní se strukturní kvalitou epitaxních vrstev studovanou pomocí vysokorozlišující rtg difraktometrie. Výsledky experimentůbudou použity k optimalizaci parametrů epitaxního růstu.
Scientific branches
R&D category
—
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
BG - Nuclear, atomic and molecular physics, accelerators
CEP - another secondary branch
—
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10304 - Nuclear physics
Completed project evaluation
Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
Řešení projektu proběhlo úspěšně, bylo dosaženo vynikajících výsledků. Výsledky byly presentovány v prestižních mezinárodních časopisech a jako pozvané přednášky na mezinárodních konferencích. Výsledky byly dosaženy v široké mezinárodní spolupráci a část
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 1997
Realization period - end
Jan 1, 1999
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2000/GA0/GA00GA/U/6:2
Data delivery date
—
Finance
Total approved costs
2,498 thou. CZK
Public financial support
813 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
2 498 CZK thou.
Public support
813 CZK thou.
32%
Provider
Czech Science Foundation
CEP
BM - Solid-state physics and magnetism
Solution period
01. 01. 1997 - 01. 01. 1999