Investigation of morphology of semiconductor multilayers using x-ray scattering
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Post-graduate (doctorate) grants
Call for proposals
Postdoktorandské granty 5 (SGA02005GA1PD)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
202/05/P286
Alternative language
Project name in Czech
Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
Annotation in Czech
Heteroepitaxní systémy založené na bázi polovodičových multivrstev jsou dlouhodobě studovány pro své vyjímečné elektrické a optické vlastnosti, které závisí na jejich strukturní kvalitě. V rámci tohoto projektu budeme studovat morfologii dvou typů složitých multivrstev z materiálů typu IV a III/V pěstovaných metodou MBE. Prvním typem budou tlusté multivrstvy s velkým počtem neperiodických tenkých vrstev SiGe/Si pěstovaných za účelem návrhu a konstrukce kaskádového laseru na bázi křemíkové technologie. Druhým typem budou multivrstvy se samouspořádanými strukturami kvantových teček a drátů. Z morfologických vlastností nás budou zajímat zejména stavy jednotlivých vrstev (tloušťky, indexy lomu), rozhraní (korelační funkce) a kvantových objektů (prostorovéuspořádání). Pro analýzu zkoumaných vzorků použijeme metody rtg reflexe a difrakce s laboratorními a sychrotronovými zdroji. Naměřená data budou vyhodnocena na základě zformovaných růstových modelů.
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
—
CEP - another secondary branch
—
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
In the frame of the solved project we have studied structural properties of SiGe crystalline multilayers and cascade structures with high Ge content grown on SiGe relaxed pseudosubstrates by molecular beam epitaxy technique. The structural parameters of
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2005
Realization period - end
Dec 31, 2007
Project status
U - Finished project
Latest support payment
May 2, 2007
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP08-GA0-GP-U/03:2
Data delivery date
Oct 17, 2008
Finance
Total approved costs
423 thou. CZK
Public financial support
423 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK