Electron attenuation length at crystal surfaces
Project goals
Attenuation lengths of electrons used in surface sensitive electron spectroscopies and electron diffraction will be determined at low electron energies (below 50 eV) for ordered GaAs based systems prepared by molecular beam epitaxy. Their energy dependence and angular anisotropy will be investigated by means of angular resolved photoelectron spectroscopies (ARUPS, ARXPS) and electron diffraction (LEED). Overlayer techniques will be utilized. The data will be compared with results obtained from separations of surface and bulk contributions caused by surface core level shifts. Theoretical analysis of intensities of diffracted spots from the crystal surfaces will enable to recognise relative contributions of elastic and inelastic electron collisions to the electron attenuation. Results improve our understanding of the electron scattering processes and reliability of quantitative information of ordered surfaces.
Keywords
electron attenuation length, electron escape depthsingle crystal surfacesA3B5 semiconductorselectron spectroscopyepitaxial nanofilmsmolecular beam epitaxy
Public support
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
Programme
Grants of distinctly investigative character focused on the sphere of research pursued at present particularly in the Academy of Sciences of the Czech Republic
Call for proposals
Výzkumné granty 6 (SAV02006-A)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
IAA100100628
Alternative language
Project name in Czech
Úniková hloubka elektronů z krystalických povrchů
Annotation in Czech
Úniková hloubka elektronů, jeden z nejdůležitejších parametrů elektronové spektroskopie a difrakce, bude určena pro pomalé elektrony (pod 50 eV) pro uspořádané systémy na bázi GaAs připravené epitaxí z molekulárních svazků. Její energetická a úhlová anizotropie bude studována pomocí úhlově rozlišené spektroskopie (ARUPS, ARXPS) a difrakce pomalých elektronů (LEED). Bude použita překryvová technika. Výsledky budou srovnány s daty získanými separací povrchových a objemových příspěvků k intenzitě fotoelektronové linie. Teoretická analýza intenzit difrakčních stop umožní oddělit relativní příspěvek elastických a neelastických elektronových srážek k únikové hloubce elektronů. Výsledky projektu prohloubí pochopení mechanismů elektronového rozptylu a zvýší spolehlivost kvantitativní informace pro uspořádané povrchy a nanostruktury při nízkých energiích elektronů.
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - secondary branch
BE - Theoretical physics
CEP - another secondary branch
—
10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Attenuation length of electrons emitted from the Al(100) a Al(111) surfaces was determined in the kinetic energy range 30?100 eV. The angular dependence of attenuation length of Cu(111) surface was studied for electrons with kinetic energy 320 eV.
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2006
Realization period - end
Dec 31, 2009
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Apr 28, 2009
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP10-AV0-IA-U/01:1
Data delivery date
Jun 8, 2010
Finance
Total approved costs
2,528 thou. CZK
Public financial support
2,528 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
2 528 CZK thou.
Public support
2 528 CZK thou.
100%
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
CEP
BM - Solid-state physics and magnetism
Solution period
01. 01. 2006 - 31. 12. 2009