Electron spectroscopy of epitaxial GaAs-based nanosystem surfaces
Project goals
Crystalline epitaxial GaAs based nanolayer systems (heterostructures, quantum wells and superlattices), representing artificial crystals with unique electric properties, will be prepared in ultrahigh vacuum by molecular beam epitaxy (MBE). Surface structure of reconstructed surfaces will be determined from the intensities of LEED beams. Surface electron structure of these systems will be investigated by the angular resolved photoelectron spectroscopy and by electron beams of very low energy (VLEEDand TCS) in the region of both the occupied and unoccupied electron states. Microscopical interpretation will be based on dynamical theoretical evaluation. Theoretical models predict significant systematic changes of electron surface states/resonances which affect the electric properties of nanolayer surfaces. These models will be tested experimentally on superlattices with varying surface termination.
Keywords
epitaxial layerssemiconductor superlatticeselectron structure of nanostructure surfacesgallium arsenide and aluminum arsenideelectron spectroscopy
Public support
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
Programme
Grants of distinctly investigative character focused on the sphere of research pursued at present particularly in the Academy of Sciences of the Czech Republic
Call for proposals
Výzkumné granty 1 (SAV0-AB2001)
Main participants
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Elektronová spektroskopie povrchů epitaxních polovodičových nanosystémů na bázi GaAs
Annotation in Czech
Krystalické epitaxní nanosystémy na bázi GaAs (heterostruktury a supermřížky) představující umělé krystaly s unikátními elektrickými vlastnostmi, budou s vysokou čistotou připraveny v ultravysokém vakuu epitaxí z molekulárních svazků (MBE). S využitím intenzit difraktovaných svazků LEED bude detailně určována krystalografie rekonstruovaných povrchů. Elektronová struktura povrchů těchto systémů se bude systematicky studovat pomocí úhlově rozlišené fotoelektronové spektroskopie a interakcí svazků velmi pomalých elektronů (VLEED a TCS), a to jak v oblasti stavů obsazených, tak i neobsazených elektrony. Teoretické modely předpovídají výrazné systematické změny energií povrchových elektronových stavů a rezonancí u povrchu. Experimentálně se otestují výsledky teoretických modelů pomocí monoatomárních změn tloušťky povrchových vrstev nanometrových supermřížek GaAs/AlAs.
Scientific branches
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Epitaxí z molekulových svazků byly připraveny supermřížky na bázi GaAs s definovaně rekonstruovanými povrchy. Experimentální a teoretická analýza pomocí ARUPS ukázal možnosti ovlivňovat povrchovou strukturu změnou tloušťky povrchové vrstvy.
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2001
Realization period - end
Jan 1, 2003
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2004/AV0/AV04IA/U/N/3:2
Data delivery date
Oct 13, 2004
Finance
Total approved costs
4,712 thou. CZK
Public financial support
1,163 thou. CZK
Other public sources
3,549 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
4 712 CZK thou.
Public support
1 163 CZK thou.
24%
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
CEP
BM - Solid-state physics and magnetism
Solution period
01. 01. 2001 - 01. 01. 2003