Transient phenomena in low-dimensional semiconductor microstructures
Project goals
Transient phenomena, like the electronic energy relaxation, will be studied by theoretical methods in low-dimensional semiconductor microstructures important from the point of view of optoelectronic applications in data transmission and processing systems. I order to determine conditions under which the efficiency of the electron-energy relaxation in the system of interacting quantum dots is increased with respect to the case of a free-standing quantum dot, emphasis will be put on numerical study of theelectronic relaxation in systems of coupled quantum dots and systems of quantum dots coupled to other structures, and on the electron-phonon relaxation channel. Low-dimensional microstructures, based on heterostructures of AlGaAs-GaAs type, excited by laser pulse, will be studied. The numerical calculations will be performed for realistic models of aggregates of interacting quantum dots with the aim to achieve a comparison with experiment.
Keywords
Public support
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
Programme
Grants of distinctly investigative character focused on the sphere of research pursued at present particularly in the Academy of Sciences of the Czech Republic
Call for proposals
—
Main participants
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Contest type
—
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Transientní jevy v nízkorozměrných polovodičových mikrostrukturách
Annotation in Czech
Transientní jevy, jako je relaxace elektronové energie v nízkorozměrných polovodičových mikrostrukturách důležitých z hlediska optoelektronických aplikací v systémech přenosu a zpracování dat, budou studovány teoretickými metodami. Bude položen důraz nanumerické studium elektronové relaxace v systémech interagujících kvantových teček a v systémech kvantových teček interagujících s jinými strukturami a na elektron-fononový kanál relaxace. Cílem bude nalézt podmínky, za kterých je relaxace elektronové energie v systému interagujících kvantových teček účinnější než v případě isolované kvantové tečky. Budou studovány nízkorozměrné mikrostruktury na základě heterostruktur typu AlGaAs-GaAs, excitované laser. pulsem. Numerické výpočty budou provedeny pro realist. modely agregátů s cílem dosáhnout srovnání s experimentem a umožnit kvantitativní předpovědi s důrazem na ty vlastnosti agregátů kvantových teček, které lze ovlivnit v průběhu technol. procesu.
Scientific branches
R&D category
—
CEP classification - main branch
BE - Theoretical physics
CEP - secondary branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - another secondary branch
—
10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Completed project evaluation
Provider evaluation
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Project results evaluation
Multifononový rozptyl elektronu byl identifikován jako hlavní a intrinsický mechanismus pro relaxaci elektronové energie a kvantových tečkách. Tyto poznatky jsou klíčové z hlediska realizace kvantového počítání v polovodičových nanostrukturách.
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 1998
Realization period - end
Jan 1, 2000
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2001/AV0/AV01IA/U/N/4:2
Data delivery date
—
Finance
Total approved costs
2,329 thou. CZK
Public financial support
657 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
2 329 CZK thou.
Public support
657 CZK thou.
28%
Provider
Academy of Sciences of the Czech Republic
CEP
BE - Theoretical physics
Solution period
01. 01. 1998 - 01. 01. 2000