Reduction of Inclusions in (CdZn)Te and CdTe:In Single Crystals by Post-Growth Annealing
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F08%3A00100156" target="_blank" >RIV/00216208:11320/08:00100156 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Reduction of Inclusions in (CdZn)Te and CdTe:In Single Crystals by Post-Growth Annealing
Original language description
(CdZn)Te with the composition of 3% Zn and In-doped CdTe single crystals were annealed at various annealing temperatures and under various Cd or Te pressures with the aim of eliminating Te or Cd inclusions. Te inclusions were reduced by Cd-saturated annealing at temperatures above 660 oC. Only small residual dark spots, located at the original position of as-grown inclusions, were observed after annealing. The size of Cd inclusions was reduced by Te-rich annealing at temperatures higher than 700 oC.
Czech name
Snížení koncentrace inkluzí v monokrystalech (CdZn)Te and CdTe:In žíháním
Czech description
Monokrystaly (CdZn)Te se složením 3% Zn a monokrystaly CdTe dopované Indiem byly žíhány v různých teplotách a tlacích nasycených par Cd a Te s cílem snížit koncentraci Te a Cd inkluzí. Te inkluze byly zredukovány žíháním v parách Cd při teplotách nad 660oC. Po žíhání byly v krystalech zjištěny pouze malé tmavé body, které byly nalezeny v pozicích, které odpovídaly pozici původních inkluzí. Velikost Cd inkluzí byla zmenšena zíháním v Te parách při teplotách vyšších než 700 oC.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA102%2F06%2F0258" target="_blank" >GA102/06/0258: High quality semiinsulating CdTe for gamma ray detectors</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Journal of Electronic Materials
ISSN
0361-5235
e-ISSN
—
Volume of the periodical
37
Issue of the periodical within the volume
9
Country of publishing house
US - UNITED STATES
Number of pages
7
Pages from-to
—
UT code for WoS article
000259042100008
EID of the result in the Scopus database
—