Study of carbon films on silicon substrate

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00013692" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00013692 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Study of carbon films on silicon substrate
Original language description
Carbon based films on silicon substrates have been studied by high resolution FE SEM equipped by an EDS analyzer. The first type are carbon nanotube (CNT) films prepared on Si/SiO2 substrates with Ni or Fe layers by radiofrequency plasma chemical vapor deposition. Dependence of nanotube films properties on Ni and Fe thickness and deposition conditions have been studied. The second type of films discussed are microcrystalline and nanocrystalline diamond films grown on pre-treated Si substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD). The pre-treatment was varied and its effect on diamond films was studied.
Czech name
Studium uhlíkových vrstem na křemíkových vrstvách
Czech description
Tenké uhlíkové vrstvy na křemíkových substrátech byly studovány pomocí FE SEM s EDS analyzátorem. Prvním typem jsou vrsty uhlíkových nanotrubek (CNT) připravené na Si/SiO2 substrátech s vrstvou Fe nebo Ni metodou RF-CVD. Byly zkoumány vlastnosti vrstev na tloušťce Fe a Ni vrstev a depozičních podmínkách. Dalším druhem vrstev jsou vrstvy tvořené mikro- a nanokrystalickými diamanty. Tyto vrstvy byly přepraveny na předem ošetřených křemíkových substrátech metodou MPCVD. Hlavním bodem studia vrstev je vlivošetření vrstem a jeho parametrů na výslednou diamantovou vrstvu.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BL - Plasma physics and discharge through gases
OECD FORD branch
—

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)