Optical measurements of silicon wafer temperature

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F07%3A00006420" target="_blank" >RIV/00216275:25310/07:00006420 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Optical measurements of silicon wafer temperature

Original language description

: An optical technique for precise, non-contact, and real time measurement of silicon wafer temperature that uses the polarized reflectivity ratio R-p/R-s is described. The proposed method is based on temperature dependence of the optical functions of silicon. Expected strong temperature sensitivity is obtained near band gap. Simultaneous monitoring of temperature and oxide layer thickness is discussed using measurements at four wavelength 365 nm, 405 nm, 546 nm, and 820 nm.

Czech name

Optická měření teploty křemíkových substrátů

Czech description

Měření teploty křemíkových substrátů nedestruktivní optickou sondou založenou na diferenciální detekci odrazivosti p a s polarizované vlny v diskrétních vlnových délkách

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Applied Surface Science

ISSN

0169-4332

e-ISSN

—

Volume of the periodical

254

Issue of the periodical within the volume

1

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

4

Pages from-to

416-419

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—