All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Photo-induced charge and hole drift length measurement of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU44978" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU44978 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Photo-induced charge and hole drift length measurement of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices

  • Original language description

    Photo-induced charge (PIQ) measurements are employed for the characterization of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film-electroluminescent (ACTFEL) devices. By changing the polarity of the applied voltage pulse, either electron or hole transportmay be studied. PIQ trends indicate that electron transport is significantly more efficient than hole transport due to hole trapping in the ZnS. Hole trapping is characterized by a drift length of ~180 ? 70 nm, a hole lifetime of ~2 ps, and a capture crross-section of ~7 × 10?13 cm2.

  • Czech name

    Měření driftové délky fotoindukovaných nábojů a děr v napařené elektroluminiscenční vrstvě ZnS:Mn řízené střídavým proudem

  • Czech description

    Měření fotoindukovaného náboje(PIQ) se používá pro charakterizaci napařených elektroluminiscenčních filmů ZnS:Mn řízených střídavým proudem(ACTFEL). Změnou polarity napěťového pulsu je možné studovat transport elektronů či děr. PIQ měřneí ukazuje, že transport elektronů je podstatně účinější než děr, což je způsobeno zachycováním děr v ZnS. Toto zachycení děr je charakterizováno driftovou délkou ~(180 ? 70)nm, životnost děr ~2 ps, a průřez pasti ~7 × 10?13 cm2.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Semiconductors - local optical and electrical properties</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2004

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Elektortechnika a informatika 2004

  • ISBN

    80-7043-300-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    4

  • Pages from-to

    63-66

  • Publisher name

    Fakulta elektrotechnická, Zapadočeská univezita v Plzni

  • Place of publication

    Plzeň

  • Event location

    Nečtiny

  • Event date

    Nov 3, 2004

  • Type of event by nationality

    EUR - Evropská akce

  • UT code for WoS article