Photo-induced charge and luminescence measurements in ZnS:Mn2+ ACTFEL

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU44982" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU44982 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Photo-induced charge and luminescence measurements in ZnS:Mn2+ ACTFEL

Original language description

Photo-induced transferred charge (PIQ) and photo-induced luminescence (PIL) measurements involve the creation of electron-hole pairs in the phosphor near one of the phosphor/insulator interfaces, transport of this photo-induced charge across the phosphor, and measurement of the charge transferred across the phosphor layer or the luminescence emitted from the phosphor layer, respectively, as a function of the magnitude of the applied DC voltage. In PIQ/PIL experiments the electron and hole transport maybe studied independently by simply changing the polarity of the DC bias. In ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescence (ACTFEL) devices the hole transport may give rise to impact excitation-induced electroluminescence (EL), holes are approximately half as efficient as electrons in contributing to the transferred charge, and that the efficiency of transport is significantly greater for holes than electrons.

Czech name

Měření fotoindukovaného náboje a luminiscence v ZnS:Mn2+ ACTFEL

Czech description

Měření fotoindukovaného náboje (PIQ) a fotoindukované luminescence (PIL) vyžadují tvorbu párů elektron-díra v luminoforu v blízkosti rozhraní luminofor/izolátor, transport tohoto fotoindukovaného náboje luminoforem a měření náboje přeneseného luminoforemnebo luminiscence vyzářené z vrstvy luminoforu jako funkci velikosti aplikovaného ss napětí. V PIQ/PIL experimentech mohou být elektrony a díry studované nezávisle pouhou změnou polarity předpětí. V ZnS:Mn ACTFEL může transport děr způsobit vznik elecctroluminiscence, přičemž díry mají přibližně poloviční účinnost jako elektrony na přenos náboje. Účinnost přenosu je podstatně větší pro díry než pro elektrony.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Semiconductors - local optical and electrical properties</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

New trends in Physics NTF 2004

ISBN

80-7355-024-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

200-203

Publisher name

Ing. Zdenek Novotny, CSc.

Place of publication

Brno

Event location

Brno

Event date

Nov 11, 2004

Type of event by nationality

EUR - Evropská akce

UT code for WoS article

—