Drivers for power transistors MOSFET a IGBT
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46543" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46543 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Drivers for power transistors MOSFET a IGBT
Original language description
This contribution describes a concrete construction of a driver for power transistors MOSFET and IGBT. A galvanic separation by high frequency transformers is used. A very low delay of the transferred switching signal was achieved with this construction.The most important advantage of the construction is the obtained high immunity to the du/dt voltage slope between the primary and secondary side of the driver.
Czech name
Budiče výkonových tranzistorů MOSFET a IGBT
Czech description
Příspěvek je věnován konkrétní konstrukci budiče pro tranzistory MOSFET a IGBT. Bylo realizováno galvanické oddělení pomocí vysokofrekvenčních transformátorků. S popsanou konstrukcí bylo dosaženo velmi malého zpoždění řídicího signálu a velké odolnosti budiče vůči strmosti du/dt.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
ElectronicsLetters.com - http://www.electronicsletters.com
ISSN
1213-161X
e-ISSN
—
Volume of the periodical
2004
Issue of the periodical within the volume
1/5
Country of publishing house
CZ - CZECH REPUBLIC
Number of pages
9
Pages from-to
1-9
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—