Low Frequency in submicron MOSFET
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU48701" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU48701 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Low Frequency in submicron MOSFET
Original language description
This work discusses about Low-Frequenci Noise in the Metal-Oxide Semiconductor (MOS) system. Is describe the current-voltage and noise characteristic of an ultrahin oxide capacitor. In the concluding chapter is describe Impact of gate oxide breakdown onthe noise of MOSFETs
Czech name
Chování MOSFET struktůry v oblasti dolních frekvencí.
Czech description
Práce pojednává o chování MOSFET struktůry v oblasti nízkých frekvencí. Je zde popsána proudová - napětová závislost a šumová charakteristika kapacity tenké vrstvy oxidu. V závěru kapitoly je popsána závislost šumu na hradle MOSFET struktůry.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Student eeict 2005
ISBN
80-214-2889-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
198-201
Publisher name
NEUVEDEN
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Apr 28, 2005
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—