Zero cross analysis of RTS noise
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52149" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52149 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Zero cross analysis of RTS noise
Original language description
RTS noise of Si MOSFETs and GaN HFET was analysed by means of zero cross method. Noise spectral density of crossing events in 1ms to 100s windows was flat over 10mHz to 1kHz frequency without apparent 1/f noise.
Czech name
Analýza RTS šumu metodou zero-cross
Czech description
RTS šum Si MOSFETů a GaN HFETů jsme analyzovali metodou zero-cross. Šumová spektrální hustota přechodu signálu nulovou úrovní v oknech délky 1ms až 100s byla konstatní v rozsahu 10mHz až 1kHz beze známek přítomnosti 1/f šumu.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Noise and Fluctuations, 18th International Conference on Noise and Fluctuations - ICNF 2005, AIP Conference Proceedings 780
ISBN
0-7354-0267-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
217-220
Publisher name
University of Salamanca
Place of publication
Salamanca, Španělsko
Event location
Salamanca, Spain
Event date
Sep 19, 2005
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—