Low frequency noise in submicron MOSFETs
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU63480" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU63480 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Low frequency noise in submicron MOSFETs
Original language description
Low frequency noise of Si N-MOSFET and GaN/Al/GaN HFET devices was mesured down to microHz region, given by 1/f noise and RTS noise components. RTS noise voltage signal was analysed by means of zero cross method.
Czech name
Nízkofrekvenční šum v submikronových tranzistorech MOSFET
Czech description
Měřili jsme nízkofrekvenční šum Si N-MOSFET a GaN/Al/GaN HFET součástek v oblasti až do mikroHz. Šum měl složky typu 1/f a RTS. Napěťový signál RTS šumu jsme analyzovali metodou zero cross.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Proceedings of IMAPS CS International Conference Electronic Devices and Systems 2006
ISBN
80-214-3246-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
6
Pages from-to
148-153
Publisher name
IMAPS CS
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Sep 14, 2006
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—