Non-Poisson Process in RTS-like noise
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU69172" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU69172 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Non-Poisson Process in RTS-like noise
Original language description
RTS noise was measured in wide range of semiconductor devices, comprising Si MOSFETs and GaN/AlGaN and InGaAs/InAlAs heterostructures. Statistical analysis of RTS noise in InGaAs sample revealed considerable correlation of subsequent pulse duration.
Czech name
Ne-Poissonovský proces v šumu typu RTS
Czech description
RTS šum byl měřen v různých polovodičových součástkách - Si MOSFET a GaN/AlGaN a InGaAs/InAlAs heterostrukturách. Statistická analýza šumu RTS v případě InGaAs vzorku prokázala korelaci délek sousedních pulsů.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Noise sources in semiconductor materials and devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Proc. ICNF 2007 AIP Conf. Proc. Vol. 922
ISBN
978-0-7354-0432-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
111-114
Publisher name
AIP
Place of publication
Tokio
Event location
Tokyo
Event date
Sep 9, 2007
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—