Hooge Noise Parameter of GaN HFETs on SiC
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52152" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52152 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/00216305:26220/05:PU52162
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Hooge Noise Parameter of GaN HFETs on SiC
Original language description
Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN on sapphire or SiC HFET structures were investigated in the temperature range of 13K to 300K. Ohmic contacts were made using Ti/Al/Ni/Au and contact noise was found negligible by TLM analysis.
Czech name
Hoogeův šumový parametr GaN HFETů na SiC
Czech description
Změřili jsme šumové charakteristiky epitaxiálních vrstev n-GaN na safíru a HFET struktur GaN/AlGaN na safíru nebo SiC v teplotním rozsahu 13K-300K. Ohmické kontakty byly vyrobeny pomocí Ti/Al/Ni/Au a kontaktní šum byl pomocí TLM analýzy shledán zanedbatelným.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Noise and Fluctuations, 18th International Conference on Noise and Fluctuations - ICNF 2005, AIP Conference Proceedings 780
ISBN
0-7354-0267-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
343-346
Publisher name
University of Salamanca
Place of publication
Salamanka, Španělsko
Event location
Salamanca, Spain
Event date
Sep 19, 2005
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—